特許
J-GLOBAL ID：200903004702582076
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104196
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 簡便な工程で選択的に異なる不純物を異なる領域にドーピングする方法。【構成】 一導電型を付与する不純物を含有した雰囲気に維持された真空シャンバー11内において、高い精度を有するXYZステージ14上に設置されたドーピングをされる試料である半導体19に石英窓13を通してレーザー光を照射し、パターンが形成されたマスク16にレーザー光を通すことによって、試料である半導体19の選択的に一導電型を付与する不純物をドーピングする。
請求項（抜粋）：
一導電型を付与する不純物を含有する雰囲気中に置かれた半導体の表面にマスクを設置し、該マスクを通して半導体表面に対してレーザー光を照射することによって、前記半導体の局部領域に前記一導電型を付与する不純物を拡散させ、該領域の抵抗率を減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/268
, H01L 29/784
