特許
J-GLOBAL ID:200903004703791256

光結合型半導体リレー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 長七 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-341355
公開番号(公開出願番号):特開平5-175543
出願日: 1991年12月24日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】漏れ電流の発生を防止する。【構成】発光素子LD1 の光を光電素子1で受光してMOSFETQ1 ,Q2 をオンあるいはオフに制御する。発光素子LD1 を透明樹脂3で1次モールドする。このモールドされた発光素子LD1 の回りに、光電素子1以外の方向に照射される光を遮光するシリコン樹脂6を塗布する。その後、発光素子LD1 と、光電素子1及びMOSFETQ1 ,Q2 とを光透過性の樹脂5にて一体的に2次モールドする。発光素子LD1 の回りにシリコン樹脂6を塗布するので、MOSFETQ1 ,Q2 に発光素子LD1 の光が照射されず、漏れ電流の発生が防止される。
請求項(抜粋):
出力端間に接続されたMOSFETと、入力端間に接続され入力信号により発光制御される発光素子と、この発光素子の光が受光されると、出力用のMOSFETをオンあるいはオフに制御する光電素子とで構成され、発光素子を光透過性の樹脂で1次モールドすると共に、この1次モールドされた発光素子と、光電素子及びMOSFETとを光透過性の樹脂にて一体的に2次モールドする光電リレーにおいて、光透過性の樹脂でモールドされた発光素子の回りに、光電素子以外の方向に照射される光を遮光する光不透過性の樹脂を塗布して成ることを特徴とする光電リレー。
IPC (2件):
H01L 31/12 ,  H03K 17/78

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