特許

J-GLOBAL ID：200903004715526523

歪量子井戸半導体レーザ

発明者： 深谷 一夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189537
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312461
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 InGaAs歪層の成長時に結晶欠陥が導入されにくく、長時間の通電信頼性が得られ、かつ発振閾値電流が低い歪量子井戸半導体レーザを提供するInGaAs歪量子井戸半導体レーザを製造する。【構成】 常圧MOVPE装置を用いて、面方位が(100)面から[01-1]方向に傾斜したGaAs基板上にInGaAs歪量子井戸活性層10を含む多層構造を積層させることによって製作できる。InGaAs歪量子井戸活性層10とその上層のGaAsバリア層11の間の界面が周期的な凹凸構造をもち、凸部の過半数が(100)テラスと基板傾斜と同じ方位に傾斜したマルチステップ面と基板傾斜と反対の方位に傾斜したマルチステップ面で形成された矩形波型構造を有するので、結晶欠陥が導入されにくく、発光特性の均質性が良い。

請求項（抜粋）：

面方位が(100)面から微傾斜したGaAs基板上にInGaAs歪量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を形成した歪量子井戸半導体レーザであって、InGaAs歪量子井戸層とその上層との界面が基板傾斜方向に沿って周期的な縞状凹凸構造をもち、その縞状凹凸構造は、面方位が(100)方向である面(以後(100)テラスと呼ぶ)と、面方位が(100)方向から基板傾斜と同じ方位に傾斜した順方向マルチステップ面と、面方位が(100)方向から基板傾斜と反対の方位に傾斜した逆方向マルチステップ面から形成されてなり、上記縞状凹凸構造はすべて2種類の単位構造、すなわち(100)テラス、逆方向マルチステップ面、(100)テラス、順方向マルチステップ面の計4面が基板傾斜方位に向かってこの順に連なる矩形波型単位構造、および(100)テラス、順方向マルチステップ面の計2面が基板傾斜方位に向かってこの順に連なる三角波型単位構造の組み合わせによってなり、基板傾斜方位に沿う任意の縞状凹凸構造を形成する単位構造のうち矩形波型単位構造の占める割合が1/2以上であることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。