特許
J-GLOBAL ID：200903004716272371
フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231143
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048903
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】外部からの電磁波を良好にシールドすることができるフォトダイオードおよびこれを備えるフォトトランジスタを提供すること。 【解決手段】P-型の基板5の表層部にP+型拡散層6が形成され、このP+型拡散層6上にN-型エピタキシャル層7が形成されている。N-型エピタキシャル層7の表層部には、フォトダイオード領域4の出力トランジスタ2側の端部にN+型の電極コンタクト領域10が形成され、この電極コンタクト領域10を取り囲むように平面視矩形枠状のP-型拡散領域11が形成され、このP-型拡散領域11の周囲にP+型拡散領域12が形成されている。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1導電型の下層領域と、
この第1領域上に形成された第2導電型の上層領域と、
この上層領域内の表層部に形成され、信号を取り出すための電極が接続される高濃度第2導電型の電極コンタクト領域と、
前記上層領域の表層部において、前記電極コンタクト領域と間隔を空けて形成され、グランド電位に接続される高濃度第1導電型の第1シールド領域と、
前記上層領域の表層部において、前記電極コンタクト領域と前記第1シールド領域との間にわたって、前記電極コンタクト領域の周囲を取り囲んで形成され、グランド電位に接続される低濃度第1導電型の第2シールド領域とを含むことを特徴とする、フォトダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F049MA02
, 5F049MA12
, 5F049MB03
, 5F049NA01
, 5F049NA04
, 5F049NA15
, 5F049NA20
, 5F049NB03
, 5F049NB08
, 5F049QA03
