特許

J-GLOBAL ID：200903004716773613

半導体気相成長装置

発明者： 井上 洋典 ,  鈴木 誉也 ,  宮内 昭浩 ,  桜井 義彦 ,  三瀬 信行 ,  渡辺 智司 ,  池田 文秀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  国際電気株式会社
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088559
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288887
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 高純度で結晶欠損の少ない高品質の気相成長薄膜を短時間に形成する。【解決手段】 反応室9外であってサセプタ2の上方に配されている上部赤外線ランプ6と、反応室9内であってサセプタ2の下方に配されている下部加熱コイル5aと、サセプタ2、下部加熱コイル5a及びベース7を一体的に上下動させる上下動機構13,20と、反応室9を形成するベルジャ1の下端とベース7とを接続するベローズ21とを備えている。

請求項（抜粋）：

側面に半導体ウエハを出し入れするためのウエハ搬送口が形成されていると共に下方が開口している中空のベルジャと、該ベルジャの下方の開口を塞ぐベースと、該ベルジャと該ベースとで囲まれた反応室内に配され該半導体ウエハが載置されるサセプタと、を備え、該サセプタ上に該半導体ウエハを配し、該反応室内に原料ガスを供給して、該半導体ウエハの表面に気相化学反応による薄膜を形成する半導体気相成長装置において、前記反応室外であって前記サセプタの上方に配されている上加熱器と、前記反応室内であって前記サセプタの下方に配されている下加熱器と、前記下加熱器の少なくともサセプタ側を覆う非金属耐熱隔壁と、前記サセプタの上面が前記ウエハ搬送口よりも上方のレベルに位置している反応位置と、該サセプタの上面が該ウエハ搬送口とほぼ同じレベルに位置しているウエハ搬送位置との間で、該サセプタを上下動させると共に、前記下加熱器、前記非金属耐熱隔壁及び前記ベースを上下動させる上下動機構と、前記ベルジャに対する前記ベースの上下動で生じる、該ベルジャの下端と該ベースとの隙間から外気が侵入するのを防ぐ反応室隔離手段と、を備えていることを特徴とする半導体気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31 B