特許

J-GLOBAL ID：200903004717815344

半導体素子の形成方法及び半導体素子

発明者： 琵琶 剛志 ,  奥山 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008844
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209325
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 良好は結晶性を有する半導体結晶層を備えた半導体素子を確実に形成できる半導体素子の形成方法を提供する。【解決手段】 立方晶系基板の(1-10)面と、該立方晶系基板の選択成長基準面から選択成長されたウルツ鉱構造の化合物半導体層の、前記立方晶系基板の前記(1-10)面と実質的に等価な面とを共にへき開する。結晶面の選択から、立方晶系基板のへき開面とウルツ鉱構造の化合物半導体層のへき開面が平行に配向することになり、簡単なへき開作業が可能となる。

請求項（抜粋）：

立方晶系基板の(1-10)面と、該立方晶系基板の選択成長基準面から選択成長されたウルツ鉱構造の化合物半導体層の、前記立方晶系基板の前記(1-10)面と実質的に等価な面とを共にへき開することを特徴とする半導体素子の形成方法。

IPC (2件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C

Fターム (20件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35