特許
J-GLOBAL ID：200903004724232850
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263346
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195964
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 ダイナミックRAMにおいて、消費電力を減少させるとともに、内部の電源ノイズを低下させ信頼性を向上させる。【構成】 ワード線をメインワード線とサブワード線の2つの階層で構成する。メインワード線は複数のサブアレイにまたがり、それぞれのサブアレイ毎にサブワード線が存在する。サブワード線はメインワード線とこれに直交してサブアレイ毎に配置されるサブワード選択線によって選択されるワードドライバによって駆動される。この時、一部のサブワード選択線のみを独立して選択する機能を設け、メインワード線に接続される複数のサブワードの内、一部のみを活性化する。それとともに、センスアンプも一部のみを活性化し、消費電力の低減、電源ノイズの低下による信頼性向上を図る。
請求項（抜粋）：
複数のサブアレイに分割されたメモリセルアレイと、第1のアドレス信号によって選択される行デコーダによって駆動され、複数の前記サブアレイ上を通過するメインワード線と、前記メインワード線に直交して、前記サブアレイ毎に配置され、第2のアドレス信号によって選択されるサブワード選択線と、前記メインワード線および前記サブワード選択線により選択されるワードドライバと、前記ワードドライバにより駆動され、メモリセルに接続されるサブワード線と、により構成され、前記メインワード線が通過する複数のサブアレイの内、一部のサブアレイを独立に選択する手段と、選択されたサブアレイに関わるワードドライバ、センスアンプ等のみを駆動する手段と、を備えることを特徴とする半導体メモリ。
引用特許：
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