半導体記憶装置の駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-229436
公開番号（公開出願番号）：特開2002-157878
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】半導体記憶装置のリテンション特性を向上させると共に、読み出しトランジスタの動作の安定化を図る。【解決手段】直列に接続されている、強誘電体キャパシタCF11、CF12、CF13、CF14とセル選択トランジスタQ11、Q12、Q13、Q14とからなる複数のメモリセルが互いに並列に接続されている。第1の共通ノードN11は、読み出し電圧が印加される第1のセット線SET1に接続され、第2の共通ノードN12は、第1のリセット線RST1及び第1の読み出しトランジスタQ16のゲート電極に接続されている。第1のセット線SET1に印加する読み出し電圧は、該読み出し電圧が除去されたときに、データを読み出した強誘電体キャパシタの強誘電体膜の分極の偏位がデータを読み出す前の偏位に戻るような大きさに設定されている。

請求項（抜粋）：

それぞれが、強誘電体膜の分極の偏位によってデータを記憶する強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタに直列に接続されたセル選択トランジスタとを有する複数のメモリセルが互いに並列に接続されてなるメモリセルブロックと、前記メモリセルブロックを構成する2つの共通ノードのうちの第1の共通ノードに接続され、読み出し電圧が印加されるセット線と、前記2つの共通ノードのうちの第2の共通ノードに接続され、前記強誘電体キャパシタの強誘電体膜の分極の偏位を検知する容量性負荷とを備えた半導体記憶装置の駆動方法であって、前記複数の強誘電体キャパシタのうちデータを読み出そうとするデータ読み出し強誘電体キャパシタに直列に接続されている前記セル選択トランジスタをオン状態にする一方、前記複数の強誘電体キャパシタのうちデータを読み出さない強誘電体キャパシタに直列に接続されている前記セル選択トランジスタをオフ状態にして、前記データ読み出し強誘電体キャパシタの一方の電極を前記第1の共通ノードを介して前記セット線に接続すると共に、前記データ読み出し強誘電体キャパシタの他方の電極を前記第2の共通ノードを介して前記容量性負荷に接続する第1の工程と、前記セット線に読み出し電圧を印加する第2の工程と、前記セット線に印加されている前記読み出し電圧を除去する第3の工程とを備え、前記第2の工程で印加される前記読み出し電圧は、前記第3の工程で前記読み出し電圧が除去されたときに、前記データ読み出し強誘電体キャパシタの強誘電体膜の分極の偏位が前記データを読み出す前の偏位に戻るような大きさに設定されていることを特徴とする半導体記憶装置の駆動方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-309719 出願人：沖電気工業株式会社
不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319930 出願人：ローム株式会社
不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-133759 出願人：ローム株式会社

審査官引用 (3件)

強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-309719 出願人：沖電気工業株式会社
不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319930 出願人：ローム株式会社
不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-133759 出願人：ローム株式会社

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