特許
J-GLOBAL ID：200903004731082775
半導体表面の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151539
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 極微量の表面変質状態を精度良く測定すること。【構成】本発明者らは実験によって、フォトルミネッセンス強度が表面状態の変質に敏感であり、ガス雰囲気依存性のあることを見出した。従って、半導体表面に電子正孔対を発生させ、電子正孔対の再結合によって発生するフォトルミネッセンスにより表面状態の評価を行う。半導体試料105はガス雰囲気容器102の中に設置され、半導体試料を変質させる所定のガス雰囲気に暴露できる。励起源としてレーザー光源101を用い、半導体試料105に照射する。光学的帯域通過フィルター107経由のフォトマルチプライヤー検出器等の光検出器108で、そのフォトルミネッセンスの強度を測定し、記録計109で記録・表示する。試料がシリコンの場合では光検出器108の感度は1100nm近傍にあるものを用いる必要がある。
請求項（抜粋）：
半導体表面の状態を測定する半導体表面の評価方法において、前記半導体の表面に電子正孔対を発生させ、前記電子正孔対の再結合によって発生する光(フォトルミネッセンス)を帯域的に選択し、帯域選択された光の強度を検出して信号にし、前記信号を数量で表示し、前記半導体の表面状態とフォトルミネッセンス強度との対応関係と前記数量とを比較することを特徴とする半導体表面の評価方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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