特許
J-GLOBAL ID:200903004732365991
閉じ込められた層を製造するための方法、及び同方法によって製造されたデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-557249
公開番号(公開出願番号):特表2009-528663
出願日: 2006年04月10日
公開日(公表日): 2009年08月06日
要約:
第1の層の上に、閉じ込められた第2の層を形成する方法であって、第1の表面エネルギーを有する第1の層を形成する工程と、第1の層を反応性界面活性組成物で処理して、第1の表面エネルギーよりも低い第2の表面エネルギーを有する処理された第1の層を形成する工程と、処理された第1の層を放射線に曝露する工程と、第2の層を形成する工程とを含む方法が提供される。また、該方法によって製造される有機電子デバイスも提供される。
請求項(抜粋):
第1の層の上に、閉じ込められた第2の層を形成する方法であって、
第1の表面エネルギーを有する前記第1の層を形成する工程と、
前記第1の層を反応性界面活性組成物で処理して、前記第1の表面エネルギーよりも低い第2の表面エネルギーを有する処理された第1の層を形成する工程と、
前記処理された第1の層を放射線に曝露する工程と、
前記第2の層を形成する工程と
を含む、方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (5件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC45
, 3K107GG06
, 3K107GG24
引用特許:
出願人引用 (12件)
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米国特許出願第2004-0094768号
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米国特許第6,303,238号
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PCT国際公開出願WO00/70655
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PCT国際公開出願WO01/41512
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米国特許出願第2004-0102577号
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米国特許出願第2004-0127637号
-
米国特許第6,670,645号
-
PCT国際公開出願WO03/063555
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PCT国際公開出願WO2004/016710
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PCT国際公開出願WO03/008424
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PCT国際公開出願WO03/091688
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PCT国際公開出願WO03/040257
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審査官引用 (8件)
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