特許

J-GLOBAL ID：200903004737365159

アンチモン前駆体、相変化メモリ素子およびその製造方法

発明者： 李 正 賢 ,  朴 永 洙 ,  朴 星 昊
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-260193
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080523
出願日： 2005年09月08日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 リセット/セットプログラミングのための消費電流値を低くし得る相変化物質のアンチモン前駆体、それを利用した相変化メモリ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Ge-Sb-Te相変化膜形成用のアンチモン前駆体において、アンチモン前駆体は、アンチモン、窒素およびシリコンを含むことを特徴とする。また、相変化メモリ素子は、半導体基板20と、半導体基板20に形成された第1不純物領域21aおよび第2不純物領域21bと、第1不純物領域21aと第2不純物領域21bとの間のチャンネル領域上に形成されたゲート構造体と、第2不純物領域21bと連結された下部電極26と、下部電極26上に形成され、窒素およびシリコンが含まれたGe2Sb2Te5物質含む相変化膜27と、相変化膜27上に形成された上部電極28と、を備える。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

Ge-Sb-Te相変化膜形成用のアンチモン前駆体において、 前記アンチモン前駆体は、 アンチモン、窒素およびシリコンを含むことを特徴とするアンチモン前駆体。

IPC (3件)：

H01L 45/00 ,  H01L 27/105 ,  G11C 13/00

FI (3件)：

H01L45/00 A ,  H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083PR21