特許
J-GLOBAL ID：200903004738522606
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-074607
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283235
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】FETの特性の温度変化を減少させ、信頼性の高いFETを得る。また、そのFETを用いた高性能高出力増幅器等を提供する。【構成】櫛型ゲートのゲートフィンガー長を、パターンの中央部付近では短く、端では長くなるごとく分布させる。また、別の手段としてはゲートフィンガーのピッチを中心部では長く、端では短く分布する。
請求項（抜粋）：
櫛型のゲート電極構造を持つ電界効果トランジスタにおいて、櫛型ゲートの一本当りの長さが不均一であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
