特許

J-GLOBAL ID：200903004738569211

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 尾方 秀謙
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240527
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 移動度の高いTFTを得ること。【構成】 絶縁基板1の上にアモルファスシリコン膜2を形成する工程と、このアモルファスシリコン膜2上の所定位置に、Si窒化膜3を形成する工程と、アモルファスシリコン膜2にArレーザ4を照射して、アモルファスシリコン膜2におけるSi窒化膜3の下に多結晶シリコンの結晶核5を形成する工程と、熱処理により結晶核5を固相成長させる工程とを含み、この固相成長領域の少なくとも一部をチャネル領域9として使用するもの。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、このアモルファスシリコン膜上の所定位置に、レーザ等の高エネルギービームの反射防止膜や吸収膜等のマスクを形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜に高エネルギービームを照射して、前記アモルファスシリコン膜における前記マスクの下に多結晶シリコンの結晶核を形成する工程と、熱処理により前記結晶核を固相成長させる工程とを含み、この固相成長領域の少なくとも一部をチャネル領域として使用することを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 311 H