特許
J-GLOBAL ID：200903004740524241
砒化ガリウム電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306545
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121447
出願日： 1991年10月26日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 GaAsショットキゲート型電界効果トランジスタにおけるドレイン電流の狭窄やゲートリーク電流を低減し、ソース抵抗を低減する。【構成】 GaAsショットキゲート型電界効果トランジスタのゲート電極30のドレイン側の側壁に、ホールトラップと電子トラップの密度が均衡したi型絶縁膜1を所要の幅寸法以下で設け、一方ゲート電極30のソース側にホールトラップが過剰なn型絶縁膜2を設ける。ディープデプリーション状態にある表面空乏層がゲート側壁のi型絶縁膜2の直下のn型動作層50の表面とドレイン電極32側のゲート電極端部にしか局在して生ぜず、ドレイン電流の狭窄やゲートリーク電流が共に小さく、ソース抵抗が低減できる。
請求項（抜粋）：
砒化ガリウム基板に構成したショットキ障壁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、ドレイン電極側のゲート電極側壁に定常状態で電気的に中性なi型絶縁膜を、(ゲート・ドレイン電極間の最大印加電圧)/(i型絶縁膜の電気絶縁耐圧)できまる寸法以上の幅に設け、かつこのi型絶縁膜とドレイン電極との間にn型絶縁膜を設け、更にソース電極側のゲート電極側面に接するように定常状態で過剰のホールトラップを含むn型絶縁膜を設けたことを特徴とする砒化ガリウム電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/316
