半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278177
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094052
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】 (a)半導体基板上に第1絶縁膜及び酸化膜を形成し、(b)該酸化膜上に第1金属膜からなるダミーゲート電極を形成し、(c)熱処理により前記酸化膜と第1金属膜とを反応させて前記酸化膜を前記ダミーゲート電極を構成する金属の酸化膜からなる高誘電体膜に変換し、(d)得られた半導体基板上に第2絶縁膜を形成し、該第2絶縁膜を前記ダミーゲート電極表面が露出するまで平坦化することにより、前記第2絶縁膜内にダミーゲート電極を形成し、(e)該ダミーゲート電極を除去することにより前記第2絶縁膜に溝を形成し、(f)該溝内に少なくとも第2金属膜を埋め込むことによりメタルゲート電極を形成することからなる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に第1絶縁膜及び酸化膜を形成し、(b)該酸化膜上に第1金属膜からなるダミーゲート電極を形成し、(c)熱処理により前記酸化膜と第1金属膜とを反応させて前記酸化膜を前記ダミーゲート電極を構成する金属の酸化膜からなる高誘電体膜に変換し、(d)得られた半導体基板上に第2絶縁膜を形成し、該第2絶縁膜を前記ダミーゲート電極表面が露出するまで平坦化することにより、前記第2絶縁膜内にダミーゲート電極を形成し、(e)該ダミーゲート電極を除去することにより前記第2絶縁膜に溝を形成し、(f)該溝内に少なくとも第2金属膜を埋め込むことによりメタルゲート電極を形成することからなる半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283

FI (2件)：

H01L 21/283 L , H01L 29/78 301 G

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104BB35 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104HH20 , 5F040DA14 , 5F040DA19 , 5F040DB01 , 5F040DB09 , 5F040DB10 , 5F040DC01 , 5F040DC03 , 5F040DC04 , 5F040DC05 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC09 , 5F040EC10 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040EH05 , 5F040EH07 , 5F040EL02 , 5F040EL03 , 5F040EL06 , 5F040FA01 , 5F040FA05 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC10 , 5F040FC21

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-249358
特開昭49-039381
5酸化タンタル膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090211 出願人：富士通株式会社

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