特許
J-GLOBAL ID：200903004749520214
半導体ウエーハボート
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137358
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316158
出願日： 1995年05月11日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハボートの上下両側部に、上下方支持プレ-トに向って段階的に厚さが厚くなるダミーウェーハを載置して急激な温度変化が前記半導体ウェーハに影響しないようにした半導体ウェーハボートを提供する。【構成】 熱処理がなされる半導体ウェーハ1を載置する半導体ウェーハボート40において、上方支持プレート41および下方支持プレート42と、前記上方支持プレート41および下方支持プレート42に上下端部が溶着、接着等の手段によって一体的に固着された複数の支柱43と、前記支柱43の中間部に半導体ウェーハ1を載置するために等間隔に形成された半導体ウェーハ挿入溝44と、前記支柱43の上下両側部において前記半導体ウェーハ挿入溝44の両端部から半導体ウェーハボート40の上方支持プレート41および下方支持プレート42に向かって溝幅が段階的に広くなるように形成されたダミーウェーハ挿入溝45、46とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
熱処理がなされる半導体ウエ-ハを載置する半導体ウエ-ハボートにおいて、上方支持プレートおよび下方支持プレートと、前記上方支持プレートおよび下方支持プレートに上下端部が溶着、接着等の手段によって一体的に固着された複数の支柱と、前記支柱の中間部に半導体ウエ-ハを載置するために等間隔に形成された半導体ウエ-ハ挿入溝と、前記支柱の上下両側部において前記半導体ウエ-ハ挿入溝の両端部から半導体ウエ-ハボートの上方支持プレートおよび下方支持プレートに向かって溝幅が段階的に広くなるように形成されたダミーウエ-ハ挿入溝とを含むことを特徴とする半導体ウエ-ハボート。
IPC (3件)：
H01L 21/22 511
, B65D 85/86
, H01L 21/68
H01L 21/22 511 G
, H01L 21/68 V
, B65D 85/38 R
