特許

J-GLOBAL ID：200903004749678357

III-N系化合物半導体装置

発明者： 津田 有三 ,  小河 淳 ,  湯浅 貴之 ,  上田 吉裕 ,  荒木 正浩 ,  種谷 元隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148533
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 n型電極の接触比抵抗が低く、閾値電圧または閾値電流密度が低いのGaN発光素子を提供する。【解決手段】 GaN発光素子は、n型GaN基板3002、基板3002上に形成された複数のGaN系化合物半導体層3003〜3010、ならびに基板3002上に形成されたn型電極3001およびp型電極3011を備える。n型電極3001は、基板3002の窒素終端面上に形成されている。基板3002中のn型不純物の濃度は、基板3002の厚み方向において変化している。基板3002は、窒素終端面を形成しかつ第1の平均n型不純物濃度を有する第1の部分3002aと、第1の平均n型不純物濃度より低い第2の平均n型不純物濃度を有する第2の部分3002bとからなる。第1の平均n型不純物濃度は3×1018cm-3以上であり、第2の平均n型不純物濃度は3×1018cm-3以下である。

請求項（抜粋）：

III-N系化合物半導体基板、前記半導体基板上に形成された複数のIII-N系化合物半導体層、および前記半導体基板上に形成された前記複数の半導体層に電圧を印加するためのn型電極およびp型電極を備え、前記半導体基板はn型であり、前記n型電極は、前記半導体基板の窒素終端面上に形成されており、前記半導体基板中のn型不純物の濃度は、前記半導体基板の厚み方向において変化しており、前記半導体基板は、前記窒素終端面を形成しかつ第1の平均n型不純物濃度を有する第1の部分と、前記第1の平均n型不純物濃度より低い第2の平均n型不純物濃度を有する第2の部分とからなり、前記第1の平均n型不純物濃度は、3×1018cm-3以上であり、前記第2の平均n型不純物濃度は、3×1018cm-3以下であり、かつ前記複数の半導体層は前記第2の部分上に形成されている、III-N系化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 29/872 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/48 H