特許

J-GLOBAL ID：200903004750266577

絶縁膜及びその形成方法

発明者： 柏木 章秀 ,  片岡 豊隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146564
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340670
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチングを行うこと無く、しかも、複数回の熱酸化処理を経ること無く形成し得る、実効的な厚さが異なる2つの領域から成る絶縁膜を提供する。【解決手段】絶縁膜は、(A)第1の領域22と、(B)第1の領域22を構成する物質の有する比誘電率ε1と異なる比誘電率ε2を有する物質から構成された第2の領域23から構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体層の表面に形成された絶縁膜であって、(A)第1の領域と、(B)第1の領域を構成する物質の有する比誘電率と異なる比誘電率を有する物質から構成された第2の領域、から構成されていることを特徴とする絶縁膜。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/08 102 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 681 F

Fターム (66件)：

5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AD04 ,  5F045AD07 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045CB10 ,  5F045DC63 ,  5F045DC69 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045HA15 ,  5F045HA22 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BG12 ,  5F048DA20 ,  5F048DA21 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BE03 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF63 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083NA02 ,  5F083NA04 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR44 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA12