特許

J-GLOBAL ID：200903004751608803

薄膜バルク音響共振器及びその製造方法

発明者： 岡 修一 ,  大野 晃計
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-038228
公開番号（公開出願番号）：特開2006-020277
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 横振動モードに起因するスプリアスの低減を目的とする。【解決手段】 支持基板の上に形成された少なくとも1層の導電層から成る第1の電極と、この第1の電極の上面に隣接して形成された少なくとも1層から成る圧電体層と、この圧電体層の上面に隣接して形成された少なくとも1層の導電層から成る第2の電極との積層体で構成された薄膜バルク音響共振器において、この第2の電極の外周端近傍に位置するこの圧電体層を除去することでこの圧電体層の端面が出現した構造を有し、且つこの端面の少なくとも一部がこの第2の電極の内側に位置する構造としたものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

支持基板の上に形成された少なくとも1層の導電層から成る第1の電極と、 該第1の電極の上面に隣接して形成された少なくとも1層から成る圧電体層と、該圧電体層の上面に隣接して形成された少なくとも1層の導電層から成る第2の電極との積層体で構成された薄膜バルク音響共振器において、 前記第2の電極の少なくとも外周端近傍に位置する前記圧電体層を除去することで前記圧電体層の端面が出現した構造を有し、且つ前記端面の少なくとも一部が前記第2の電極の内側に位置する構造であることを特徴とする薄膜バルク音響共振器。

IPC (6件)：

H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z

Fターム (6件)：

5J108AA01 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108CC12 ,  5J108MM11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 共振子構造およびその共振子構造を備えるフィルタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-510983   出願人：ノキアコーポレイション