特許

J-GLOBAL ID：200903004751957581

透明導電膜

発明者： 大本 英雄 ,  小林 孝司 ,  中嶋 弘
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201194
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047216
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】耐湿性の優れた安価な透明導電膜を得る。【解決手段】基板表面に、基板側から誘電体層、AgとNdの合金層が交互に積層し、誘電体に窒化物を用いる。例えば、ガラス基板にAlNx(36nm)/AgNd(N)(17.5nm)/AlNx(74nm)/AgNd(N)(17.5nm)/AlNx(74nm)/AgNd(N)(17.5nm)/AlNx(38nm)(かっこ内の数値は厚み)なる7層膜を成形し、周波数30〜1000MHzの電磁波に対し、40dB以上の電磁遮蔽性能が得られる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板表面に、基板側から誘電体層、Nd0.1〜10wt%を含有するAgとNdの合金層が交互に積層され、かつ基板から最も離れて積層される層が誘電体層であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (2件)：

H01B5/14 ,  B32B15/01

FI (2件)：

H01B5/14 A ,  B32B15/01 Z

Fターム (37件)：

4F100AB24C ,  4F100AB31C ,  4F100AB40C ,  4F100AB40H ,  4F100AD04B ,  4F100AD04D ,  4F100AD05B ,  4F100AD05D ,  4F100AG00A ,  4F100AR00B ,  4F100AR00D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100BA13 ,  4F100GB41 ,  4F100JD08 ,  4F100JG01 ,  4F100JG05B ,  4F100JG05D ,  4F100JN01 ,  4F100YY00C ,  4G059AA08 ,  4G059AC12 ,  4G059DA01 ,  4G059DB02 ,  4G059EA12 ,  4G059EB04 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA14 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB02 ,  5G307FC09