露光マスクおよびそれを用いた半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-216585
公開番号（公開出願番号）：特開2007-072452
出願日： 2006年08月09日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】半透過部のフォトレジスト層の膜厚を均一に形成できる露光マスクを提供し、それを用いてTFT基板を製造するために必要なフォトリソグラフィ工程の回数(マスク枚数)を削減した半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】透過部と、遮光部と、ラインおよびスペースが繰り返し形成された光強度低減機能を有する半透過部とを備えた露光マスクにおいて、半透過部における遮光材料のライン幅Lと遮光材料間のスペース幅Sとの和は、露光装置の解像度をn、投影倍率を1/m(m≧1)とすると、n、mとの関係が、(2n/3)×m ≦ L+S ≦ (6n/5)×m の条件式を満たす露光マスクを用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透過部と、遮光部と、半透過部とを備えた露光マスクにおいて、前記半透過部における遮光材料のライン幅Lと遮光材料間のスペース幅Sとの和は、露光装置の解像度をn、投影倍率を1/m(m≧1)とすると、n、mとの関係が、 (n/3)×m ≦ L+S ≦ (3n/2)×m の条件式を満たすことを特徴とする露光マスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F1/08 D , H01L29/78 627C , H01L29/78 617L , H01L29/78 616A , H01L21/30 514C

Fターム (81件)：

2H095BB02 , 2H095BC09 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046CB17 , 5F046DA06 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-244237 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (6件)

グレートーンマスクの描画方法、及びグレートーンマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-322884 出願人：ホーヤ株式会社
薄膜トランジスタ基板とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-014453 出願人：株式会社日立製作所
グレートーンマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-188242 出願人：HOYA株式会社

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