特許
J-GLOBAL ID：200903004754193680
磁性ガーネット単結晶膜の製造方法、および磁性ガーネット単結晶膜
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170000
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357622
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】磁性ガーネット単結晶膜育成と同時に、育成した磁性ガーネット単結晶膜に任意の形状かつ厚さを持たせることが可能な、磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】非磁性ガーネット単結晶基板1上に、白金または白金合金の膜を任意の形状および厚さに形成する工程と、融剤として酸化鉛を含有する磁性ガーネット原料融液と前記非磁性ガーネット単結晶基板1を接触させ、この非磁性ガーネット単結晶基板1上の白金または白金合金を融剤によって除去しながら、非磁性ガーネット単結晶基板1上に磁性ガーネット単結晶膜3を育成する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
非磁性ガーネット単結晶基板上に、白金または白金合金の膜を任意の形状および厚さに形成する工程、融剤として酸化鉛を含有する磁性ガーネット原料融液と前記非磁性ガーネット単結晶基板を接触させ、該非磁性ガーネット単結晶基板上の白金または白金合金を融剤によって除去しながら、非磁性ガーネット単結晶基板上に該磁性ガーネット単結晶膜を育成する工程、を備えることを特徴とする、液相エピタキシャル法による磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5E049AB06
, 5E049AB09
, 5E049AC03
, 5E049BA22
, 5E049BA29
, 5E049MC09
