特許

J-GLOBAL ID：200903004754943301

Mo系ターゲット材

発明者： 岩崎 克典 ,  井上 惠介 ,  斉藤 和也 ,  植村 典夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121955
公開番号（公開出願番号）：特開2005-307226
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 異常放電の発生を抑制できる大型焼結品のMo合金ターゲット材を提供する。【解決手段】 遷移金属元素を0.1〜50原子%含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の線の全長として、該全長を50mm間隔で、アルキメデス法によって測定した相対密度が全域で98%以上となるMo系ターゲット材である。また、さらに、遷移金属元素を0.1〜50%原子含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の線の全長として、該全長を50mm間隔で測定した遷移金属元素の含有量のバラツキが20%以下であるMo系ターゲット材である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

遷移金属元素を0.1〜50原子%含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の直線を全長として、該全長を50mm間隔で、アルキメデス法によって測定した相対密度が全域で98%以上となることを特徴とするMo系ターゲット材。

IPC (2件)：

C23C14/34 ,  C22C27/04

FI (2件)：

C23C14/34 A ,  C22C27/04 102

Fターム (15件)：

4K018AA22 ,  4K018BA09 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC11 ,  4K018BC12 ,  4K018CA26 ,  4K018EA13 ,  4K018FA02 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• スパッタリングターゲット材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217485   出願人：東京タングステン株式会社
• 配線形成用Mo-W材、配線形成用Mo-Wターゲットとその製造方法、およびMo-W配線薄膜
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP1994002095   出願人：株式会社東芝
• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-129538   出願人：日立金属株式会社

審査官引用 (3件)

• Mo系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324671   出願人：日立金属株式会社
• 特開昭61-141674
  
• 特開昭61-141674