特許
J-GLOBAL ID：200903004760899250
半導体光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036028
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232682
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】メサストライプマスクと半導体層の密着性を向上し、埋込成長による電流狭窄層形成工程におけるメサストライプマスク剥がれを防止する。【解決手段】メサストライプマスク2と半導体層の密着性を向上させるために、メサストライプ端部が全て隣合うメサストライプと連続につながっている帯状パターン16と、メサストライプの途中に全てのメサストライプと直交するストライプパターン17を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に結晶成長を用いて少なくともバッファ層,活性層,クラッド層,キャップ層を順次積層する工程と、ストライプ状の絶縁膜マスクを形成する工程と、エッチングによりメサストライプを形成する工程と、結晶成長を用いて上記メサストライプの両側に電流狭窄層を形成する工程と電流コンタクト層を形成する工程を有する半導体光素子の製造方法において、上記ストライプ状絶縁膜マスクを形成する際、上記ストライプ状絶縁膜マスクがウェハ端部で全てのストライプと連続でつながっているよう形成することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/30 502 P
