特許

J-GLOBAL ID：200903004763656900

太陽電池装置及びその製造方法

発明者： 田口 幹朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296225
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101053
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、歩留まりが良く且つより高い変換効率の太陽電池装置を提供することを目的とする。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板1にi型a-Si半導体層2を介してp型a-Si半導体層3を形成した太陽電池装置において、n型基板1の表面側に一定の間隔を有する溝11が設けられ、この溝11の側壁部の少なくとも一方に、基板表面に対して垂直よりも基板側に傾いた状態の窪み部12が設けられ、この窪み部12に集電極6を設けた。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板に他導電型の半導体層を形成したpn接合型太陽電池装置において、一導電型の半導体基板表面側に一定の間隔を有する溝が設けられ、この溝の側壁部の少なくとも一方に、基板表面に対して垂直よりも基板側に傾いた状態もしくは食いこんだ状態の窪み部が設けられ、この窪み部に集電極を設けたことを特徴とする太陽電池装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 31/04 H

Fターム (24件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD71 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104GG05 ,  5F051AA05 ,  5F051BA16 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14