特許
J-GLOBAL ID:200903004765011044

有機半導体薄膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-324201
公開番号(公開出願番号):特開2004-158710
出願日: 2002年11月07日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】高いキャリア移動度を有する有機半導体薄膜を提供する。また、高いキャリア移動度を有する有機半導体薄膜を低コスト且つ容易に形成することが可能な有機半導体薄膜の製造方法を提供する。さらに、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】有機半導体薄膜4を、結晶性低分子有機半導体化合物の結晶粒2と、その結晶粒2の間の隙間に介在する有機半導体成分3とで構成した。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
結晶性低分子有機半導体化合物の結晶粒を多数含有する有機半導体薄膜において、前記結晶粒の間の隙間に有機半導体成分を介在させ、前記結晶粒を接続したことを特徴とする有機半導体薄膜。
IPC (4件):
H01L51/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5件):
H01L29/28 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 627G
Fターム (39件):
5F052DA10 ,  5F052DB05 ,  5F052HA03 ,  5F052JA02 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG31 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (9件)
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引用文献:
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