特許

J-GLOBAL ID：200903004769258664

プラズマCVD装置の洗浄方法

発明者： 笹川 英四郎 ,  上野 茂一
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235507
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059177
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 製膜ユニットなどの腐食及びデバイスへの悪影響を回避しつつ、装置の内壁面に付着したSi系製膜物をエッチングにより除去することが可能なプラズマCVD装置の洗浄方法を提供することを目的とする。【解決手段】 内壁面にSi系の製膜物が付着したプラズマCVD装置内に、水素成分を含み、かつフッ素成分を含まない処理ガスを供給すると共に、電極と前記内壁面との間にプラズマを生成させ、生成プラズマ中の少なくともHラジカルを前記付着物に作用させ、前記付着物をエッチングにより除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

内壁面にSi系の製膜物が付着したプラズマCVD装置内に、水素成分を含み、かつフッ素成分を含まない処理ガスを供給すると共に、電極と周辺構造物あるいは前記内壁面との間にプラズマを生成させ、生成プラズマ中の少なくともHラジカルを前記付着物に作用させ、前記付着物をエッチングにより除去することを特徴とするプラズマCVD装置の洗浄方法。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  B01J 3/00 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/205 ,  B08B 5/00

FI (5件)：

C23C 16/44 J ,  B01J 3/00 N ,  B01J 19/00 H ,  H01L 21/205 ,  B08B 5/00

Fターム (39件)：

3B116AA47 ,  3B116AB51 ,  3B116BB21 ,  3B116BB89 ,  3B116BC01 ,  4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075AA57 ,  4G075AA62 ,  4G075BA05 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4G075EB41 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045EB06 ,  5F045EE14 ,  5F045EH04 ,  5F045EH19 ,  5F045EK26 ,  5F045HA03