特許
J-GLOBAL ID：200903004773523895
プラズマCVD装置及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113272
公開番号（公開出願番号）：特開平9-279348
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】複数の円筒状基体の表面上に該円筒状基体の軸方向、及び周方向のいずれの方向に関しても、膜厚が極めて均一で且均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で形成し、効率良く半導体デバイスを形成し得るプラズマCVD装置及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】高周波電源で発生させた高周波電力を前記カソード電極に供給して前記基体保持手段により保持される基体と前記カソード電極との間にプラズマを発生させ基体に堆積膜を形成するラズマCVD装置及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法において、前記カソード電極はその形状が棒状であり、該カソード電極の高周波伝送線路の特性インピーダンスが高周波の入射波の進行方向に向かって小から大に変化する不整合箇所をプラズマと接触するカソード電極上に一箇所以上設けたことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
減圧可能な反応容器と、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器内に配された基体保持手段及びカソード電極と、高周波電源とを有し、前記高周波電源で発生させた高周波電力を前記カソード電極に供給して前記基体保持手段により保持される基体と前記カソード電極との間にプラズマを発生させ基体に堆積膜を形成するプラズマCVD装置において、前記カソード電極はその形状が棒状であり、該カソード電極の高周波伝送線路の特性インピーダンスが高周波の入射波の進行方向に向かって小から大に変化する不整合箇所を前記プラズマと接触するカソード電極上に一箇所以上設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (6件)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, G03G 5/08 105
, G03G 5/082
, H01L 21/205
, H01L 31/04
C23C 16/50
, C23C 16/44 G
, G03G 5/08 105
, G03G 5/082
, H01L 21/205
, H01L 31/04 T
