特許

J-GLOBAL ID：200903004776269477

耐スパッタ割れ性に優れた相変化型メモリー膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 木之下 啓 ,  野中 荘平 ,  森 曉
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (2件)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-120933
公開番号（公開出願番号）：特開2004-323919
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】相変化型メモリー膜を形成するための耐スパッタ割れ性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】原子%でGe:20〜30%、Sb:20〜30%を含有し、酸素:0.3〜1.5%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

原子%で(以下、%は原子%を示す)Ge:20〜30%、Sb:20〜30%を含有し、さらに酸素:0.3〜1.5%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする耐スパッタ割れ性に優れた相変化型メモリー膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C22C28/00 ,  C23C14/34 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26

FI (4件)：

C22C28/00 B ,  C23C14/34 A ,  G11B7/24 511 ,  G11B7/26 531

Fターム (13件)：

4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029BC07 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5D029JA01 ,  5D029JB18 ,  5D121AA01 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE14