特許

J-GLOBAL ID：200903004782777271

半導体装置の製造方法

発明者： 三輪 和弘 ,  青山 正明 ,  樋口 賢一 ,  長瀬 邦彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022272
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、プラズマエッチング装置内部に付着したフォトレジストの残留物を簡単に除去することを目的とする。【解決手段】 表面にフォトレジストが形成された半導体基板をプラズマエッチング装置に順次搬入しエッチングを行う際、所定枚数の半導体基板のエッチングが完了する都度窒素ガスを導入して窒素ラジカルを含む窒素ガスプラズマを発生させ、装置内部に付着したフォトレジストの残留物を除去するように構成する。

請求項（抜粋）：

表面にフォトレジストが形成された半導体基板をプラズマエッチング装置に順次搬入しエッチングを行う際、所定枚数の半導体基板のエッチングが完了する都度窒素ガスを導入して窒素ラジカルを含む窒素ガスプラズマを発生させ、装置内部に付着したフォトレジストの残留物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E