特許

J-GLOBAL ID：200903004787508813

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

発明者： 高木 俊夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-078824
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088473
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】膜厚の面内均一性や膜質の良好な成膜処理行いつつ、装置の熱的劣化を抑えることのできる成膜装置等を提供する。【解決手段】 真空容器2内に処理ガスを供給し、基板Wを加熱して成膜処理を行う成膜装置1において、昇降機構30は基板Wの処理位置及び受け渡し位置の間で載置台300を昇降させ、囲み部分26は基板W処理時に載置台300を取り囲むことにより真空容器2内を上部空間と下部空間とに区画する。前記上部空間に連通し、基板W上方の処理雰囲気よりも外側に位置する真空排気路21は、前記処理雰囲気の真空排気のために設けられ、排気されるガスの通流空間に露出する部位は処理ガスの反応物が付着しないように加熱手段214、47により加熱される。これら加熱手段214、47と、真空容器2の下側部分との間には断熱部212、254が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空容器内に搬送口から搬入され、載置台に受け渡された基板に対して、前記載置台に対向する処理ガス供給部から処理ガスを基板に供給すると共に、前記載置台の載置面を加熱しながら真空雰囲気下で処理ガスにより成膜処理を行う成膜装置において、 前記載置台を、基板が処理ガスにより処理される処理位置と、前記搬送口から進入する外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われる受け渡し位置と、の間で昇降させるための昇降機構と、 前記載置台を隙間を介して取り囲み、前記基板の処理を行っているときに当該載置台と共に、前記真空容器内を載置台よりも上方の上部空間とその下方側の下部空間とに区画するための囲み部分と、 前記基板の上方の処理雰囲気よりも外側に位置すると共に、前記上部空間に連通し、前記処理雰囲気を真空排気するための真空排気路と、 前記処理雰囲気から真空排気路までのガスの通流空間に露出する部位を、反応物が付着して付着物を形成する温度よりも高い温度に加熱するための加熱手段と、 この加熱手段と、前記搬送口がその側壁に形成されると共に前記下部空間を囲む前記真空容器の下側部分と、の間に設けられた断熱部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/44 J

Fターム (36件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA22 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AE01 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF05 ,  5F045EF13 ,  5F045EG01 ,  5F045EK07 ,  5F045EK22 ,  5F045EK24 ,  5F045GB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ、クリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-079501   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ガス供給装置及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-118237   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (3件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-171484   出願人：東京エレクトロン株式会社
• スペーサー部材およびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-245762   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-132221   出願人：日本エー・エス・エム株式会社