特許

J-GLOBAL ID：200903004793558822

負性抵抗素子

発明者： 高木 剛
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098679
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275717
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 余剰電流を抑制することによって電流-電圧特性における大きなピーク/バレー比を実現し、負性抵抗素子の室温動作を可能にする。【構成】 n-GaAs導電層2、i-AlAsバリア層3a、i-GaAsウエル層3b、i-AlAsバリア層3a、n-GaAs導電層2を順次形成し、i-AlAsバリア層3a、i-GaAsウエル層3b及びi-AlAsバリア層3aによって共鳴準位ERを形成するダブルバリア領域3Aを形成する。i-AlAsバリア層3a及びi-GaAsウエル層3bの膜厚は、バリア層3aのポテンシャルバリア高さΔEcよりも高いエネルギーを持つ電子に対して量子力学的に反射を増強するよう設定する。また、n-GaAs導電層2のフェルミレベルEFは、ダブルバリア領域3Aによって生じる共鳴準位ERよりも低く設定する。

請求項（抜粋）：

バリア層及びウエル層によって構成される多重バリア領域と、当該多重バリア領域の両側に形成された導電層とから成る共鳴トンネリングダイオードにおいて、前記多重バリア領域を構成するバリア層及びウエル層の膜厚及び組成を、当該バリア層のポテンシャルよりも高いエネルギーをもつ入射電子に対して、量子力学的反射作用による仮想的バリアを形成するように設定した負性抵抗素子。

IPC (2件)：

H01L 29/88 ,  H01S 3/18