特許

J-GLOBAL ID：200903004794853780

半導体光電変換装置

発明者： 長谷川 潤 ,  三井田 高
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-191629
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110952
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 入射光によって発生した電荷が蓄積領域からオーバフローする時、これを検出することのできる半導体光電変換装置に関し、信号電荷の蓄積に対してリーク電流による電荷の蓄積が無視できない状態においても、信号電荷の蓄積によるオーバフローを的確に検出することのできる半導体光電変換装置を提供することを目的とする。【構成】 入射した光に応じて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するための光電変換手段(PD)と、前記光電変換手段でオーバフローした電荷を寄生的に発生する暗電荷と共に蓄積するための過剰電荷蓄積手段(D1)と、前記過剰電荷手段に蓄積される暗電荷と同等の暗電荷を蓄積するための補償電荷蓄積手段(D2)と、前記過剰電荷蓄積手段の蓄積電荷と前記補償電荷蓄積手段の蓄積電荷とを比較するための比較手段(OP1、OP2、CMP)とを有する。

請求項（抜粋）：

入射した光に応じて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するための光電変換手段と、前記光電変換手段でオーバフローした電荷を寄生的に発生する暗電荷と共に蓄積するための過剰電荷蓄積手段と、前記過剰電荷手段に蓄積される暗電荷と同等の暗電荷を蓄積するための補償電荷蓄積手段と、前記過剰電荷蓄積手段の蓄積電荷と前記補償電荷蓄積手段の蓄積電荷とを比較するための比較手段とを有する半導体光電変換装置。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148