特許
J-GLOBAL ID:200903004803883000
サージ吸収素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
立花 良介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-078338
公開番号(公開出願番号):特開平9-245932
出願日: 1996年03月06日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課題】 耐熱衝撃性に優れた絶縁突起を有するサージ吸収素子【解決手段】 導電性シリコンウエハーの片面或いは両面に酸化膜を形成し,マスク・エッチング処理により多数の透孔を設け,電気泳動処理槽内でこの透孔に二酸化珪素等のガラス質を成長させ,所定厚さに達した時に槽より取り出し,絶縁突起となるこのガラス質を熱処理して成形する。【効果】 絶縁突起が耐熱性に優れたガラス質で形成されるためサージ耐量や寿命特性の優れたサージ吸収素子を提供できる。
請求項(抜粋):
導電性シリコンチップ1の片面に二酸化珪素等のガラス質を成長させて絶縁突起2とし,反対面にはニッケル電極を設けてなる,サージ吸収素子。
IPC (3件):
H01T 4/12
, H01C 7/12
, H01T 21/00
FI (3件):
H01T 4/12 F
, H01C 7/12
, H01T 21/00
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