特許
J-GLOBAL ID：200903004806090930
電子放出素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136337
公開番号（公開出願番号）：特開平7-320636
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 電界放射型の電子放出素子のエミッタ配線層とゲート電極層との間に、高い密着性を有し、しかもピンホールフリーの絶縁層を形成する。【構成】 光透過性の絶縁性基板1上に光透過性のエミッタ配線層2を形成し、その上に遮光層3、エミッタ層4、レジスト層5を順次積層した後に、レジスト層5をパターニングする。そのレジスト層5をマスクとしてエミッタ層4、遮光層3を順次エッチングした後にレジスト層5を除去する。そして、絶縁性基板1のエミッタ層3側表面上に、光透過性の絶縁層6、光透過性のゲート電極層7、更にネガ型フォトレジスト層8を順次形成する。遮光層3をフォトマスクとして、絶縁性基板1の裏面からネガ型フォトレジスト層8を露光した後、その未露光部分8bを除去し、残存しているネガ型フォトレジスト層の露光部分8aをマスクとして、ゲート電極層と7絶縁層6とをエミッタ層4が露出するまでエッチングする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板、エミッタ配線層、絶縁層及びゲート電極層が順次積層され、該ゲート電極層と絶縁層とにはエミッタ配線層に達する開孔部が設けられ、その開孔部内のエミッタ配線層上に遮光層及びエミッタ層が、絶縁層及びゲート電極層に接触しないように順次積層されてなる電界放射型の電子放出素子の製造方法において、(a)光透過性の絶縁性基板上に光透過性のエミッタ配線層を形成する工程;(b)エミッタ配線層上に、遮光層、エミッタ層、レジスト層を順次積層する工程;(c)レジスト層をパターニングする工程;(d)パターニングされたレジスト層をマスクとしてエミッタ層、遮光層を順次エッチングする工程;(e)パターニングされたレジスト層を除去する工程;(f)絶縁性基板のエミッタ層側表面上に、光透過性の絶縁層、光透過性のゲート電極層、更にネガ型フォトレジスト層を順次形成する工程;(g)遮光層をフォトマスクとして、絶縁性基板の裏面からネガ型フォトレジスト層を露光する工程;(h)ネガ型フォトレジスト層の未露光部分を除去する工程;(i)残存する露光部分のネガ型フォトレジスト層をマスクとして、ゲート電極層と絶縁層とを、エミッタ層が露出するまでエッチングする工程;及び(j)マスクとして使用したネガ型フォトレジスト層を除去する工程を含んでなることを特徴とする製造方法。
IPC (2件)：
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