特許

J-GLOBAL ID：200903004807764056

シリカ被膜形成方法

発明者： 渋谷 達彦 ,  萩原 嘉男
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177523
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012536
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 これまで高耐熱性配線層上に、平坦化膜又は絶縁膜を設ける際に用いられていた化学蒸着法に代わる、ソース層及びドレイン層の過度の拡散を生じない、かつクラック限界の高いシリカ被膜の形成方法を提供する。【解決手段】 不活性化処理されていないポリシラザンとジアルキルアルカノールアミンとの反応生成物からなる改質ポリシラザンを含む有機溶剤溶液を、500°C以上の温度に対して安定性を示す配線層担持基板上に塗布し、乾燥後、該改質ポリシラザンの赤外吸収スペクトルにおける800〜880cm-1付近、950cm-1及び2200cm-1のピークが実質上消失するまで予備焼成することによりシリカ系被膜を形成し、次いで550〜800°Cの温度において本焼成することにより、シリカ被膜を形成する。

請求項（抜粋）：

不活性化処理されていないポリシラザンとジアルキルアルカノールアミンとの反応生成物からなる改質ポリシラザンを含む有機溶剤溶液を、500°C以上の温度に対して安定性を示す配線層担持基板上に塗布し、乾燥後、該改質ポリシラザンの赤外吸収スペクトルにおける800〜880cm-1付近、950cm-1及び2200cm-1のピークが実質上消失するまで予備焼成することによりシリカ系被膜を形成し、次いで550〜800°Cの温度において本焼成することを特徴とするシリカ被膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (7件)：

5F058BA04 ,  5F058BC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BG10 ,  5F058BH01