特許
J-GLOBAL ID:200903004808628830
酸化物超伝導体薄膜接合素子およびその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-100670
公開番号(公開出願番号):特開2000-294842
出願日: 1999年04月07日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 室温において高速動作することのできる、新しい酸化物超伝導体薄膜結合素子、およびこの酸化物超伝導体薄膜結合素子を再現性良く容易に作製することのできる、新しい作製方法を提供する。【解決手段】 Cuを構成成分として含有した酸化物超伝導体による接合素子であって、酸化物超伝導体はキャリアが局在している薄膜であり、互いに異なるキャリア密度を有する複数の層がこの薄膜内に存在している。
請求項(抜粋):
Cuを構成成分として含有した酸化物超伝導体による接合素子であって、酸化物超伝導体はキャリアが局在している薄膜であり、互いに異なるキャリア密度を有する複数の層がこの薄膜内に存在していることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜接合素子。
IPC (2件):
H01L 39/22 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
FI (2件):
H01L 39/22 ZAA D
, G01R 33/035 ZAA
Fターム (15件):
2G017AD31
, 2G017AD34
, 2G017AD39
, 2G017AD52
, 2G017AD66
, 4M113AB15
, 4M113AC21
, 4M113AC45
, 4M113AC46
, 4M113AC50
, 4M113AD36
, 4M113AD63
, 4M113CA33
, 4M113CA34
, 4M113CA35
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