不揮発性記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322086
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177358
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】高速書き込みができ、微細化にも対応が可能となる不揮発性メモリを提供する。【構成】 P型シリコン基板11の表層面に、ビットラインBLとなる不純物拡散層12を列方向に沿ってかつ行方向に所定間隔をあけて形成する。不純物拡散層12で挟まれるように生じるチャネル領域13上のドレイン領域12b 側に、フローティングゲート15およびコントロールゲート17を形成する。フローティングゲート15およびコントロールゲート17の横にセレクトゲートSGL となるサイドウォール状のセレクトゲート19を列方向に形成する。コントロールゲート17上に、ワードラインWLとなるゲート配線20を行方向の沿って形成する。

請求項（抜粋）：

予め定める第1の導電型式をした単一の半導体基板上に、電荷を注入したり、取り出すことで情報の記憶を行う複数の不揮発性記憶素子が、行方向および列方向に沿ってマトリクス状に配列形成されている不揮発性記憶装置であって、上記半導体基板の表面層において、列方向に沿ってかつ行方向に所定の間隔をあけて形成され、行方向に隣接する各不揮発性記憶素子同士のソース領域およびドレイン領域となると共に、ビットラインとなっている、上記第1の導電型式とは反対の第2の導電型式をした複数の不純物拡散層と、上記各不純物拡散層で挟まれるようにそれぞれ生じるチャネル領域の、ソース領域側の予め定める領域を除く領域上に形成され、各チャネル領域で発生した高エネルギーを有する電荷を通過させるトンネル絶縁膜と、上記各トンネル絶縁膜上に形成され、トンネル絶縁膜を通過してきた電荷を蓄積する電荷蓄積層と、上記各チャネル領域上のソース領域側に位置する予め定める領域に形成さ、上記トンネル絶縁膜よりも厚いゲート絶縁膜と、上記各ゲート絶縁膜上において、上記各電荷蓄積層の横にサイドウォール状に形成されると共に、列方向に延び、列方向に配列する各不揮発性記憶素子同士で共有されたセレクトゲートラインとなっているセレクトゲートと、上記各電荷蓄積層上において、行方向に沿って形成され、行方向に配列する各不揮発性記憶素子同士で共有されたワードラインとなっているゲートとを含むことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 307 D , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭59-061189
特開平3-112166
特開昭59-061189

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