特許

J-GLOBAL ID：200903004813129176

パターン形成方法

発明者： 平岡 俊郎 ,  浅川 鋼児
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040617
公開番号（公開出願番号）：特開2002-241532
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：

【要約】【課題】 溶媒への溶解性が良好で基板等に容易に塗布可能なブロックコポリマー又はグラフトコポリマーを用いて、10nm程度以下の微細なドメインサイズを有するミクロ相分離構造からなるパターンを形成し得る方法を提供する。【解決手段】 少なくとも1種のポリマー鎖が酸性基および塩基性基から選択される塩形成基を有するブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含む成形体を形成する工程、前記塩形成基を塩に変化させる工程、および、前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーにミクロ相分離構造を形成あるいは前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーに形成されたミクロ相分離構造を変化させる工程を具備するパターン形成方法である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種のポリマー鎖が酸性基および塩基性基から選択される塩形成基を有するブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含む成形体を形成する工程、前記塩形成基を塩に変化させる工程、および前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーにミクロ相分離構造を形成あるいは前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーに形成されたミクロ相分離構造を変化させる工程を具備するパターン形成方法。

IPC (4件)：

C08J 9/26 102 ,  G03F 7/004 521 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

C08J 9/26 102 ,  G03F 7/004 521 ,  G11B 5/84 Z ,  H01L 21/302 J

Fターム (35件)：

2H025AA02 ,  2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BH05 ,  2H025CB42 ,  2H025CB47 ,  2H025FA39 ,  4F074AA33B ,  4F074AA48B ,  4F074AA53B ,  4F074CB04 ,  4F074CB06 ,  4F074CB17 ,  4F074CB91 ,  4F074CC32Y ,  4F074CC50 ,  4F074DA24 ,  4F074DA59 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112FA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA19 ,  5F004BB01 ,  5F004BB02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB01 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04