特許
J-GLOBAL ID：200903004817114637
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237468
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083079
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】動作電圧の低い半導体素子を提供する。【解決手段】n型GaAs半導体基板(11)、及びこの半導体基板(11)上に形成されたバッファ層(12)を有する。バッファ層(12)は1×108 cm-2以上の欠陥密度を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板、及びこの半導体基板上に形成された半導体層を有し、前記半導体層は少なくとも部分的に1×108 cm-2以上の欠陥密度を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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