特許
J-GLOBAL ID：200903004822120114
歪量子井戸レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007053
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、ウエル層とバリア層の界面が原子層オーダーで急峻な界面となる歪量子井戸レーザの製造方法を提供することにある。【構成】水素プラズマビームを半導体基板表面に45°以下の低入射角度(約10°)で照射すると半導体基板表面の原子層オーダーでの凹凸のエッチングして平坦化することが可能となる。これは20eV程度の低エネルギーを有する水素プラズマ粒子の運動エネルギーにより半導体基板表面の凸部の1原子層のみが離脱し原子層オーダーの凹凸がエッチングされことによるものと考がえられる。これを歪量子井戸レーザのウエル層とバリア層の界面に応用する。すなわち、1.3μm組成の4元バリア層14及びInGaAsウエル層13を成長後、一度成長を中断し、30分間20eV程度の水素プラズマビームを照射し、界面を原子層オーダーで平坦化する。その結果ウエル厚が30オングストローム程度と薄くても歪みの効果がデバイス特性に充分に反映される。
請求項（抜粋）：
歪量子井戸構造で成る活性層を少なくとも含む半導体層を多層積層する結晶成長工程を少なくとも有する半導体レーザの製造方法に於て、活性層であるウエル層とバリア層の成長切り換え時に、成長層表面となす角度が45°以下の水素プラズマビームを成長層表面に照射する工程を含むことを特徴とする歪量子井戸レーザの製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 33/00
