特許

J-GLOBAL ID：200903004823587180

光変調素子材料

発明者： 森川 尚 ,  明石 量磁郎
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322206
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148608
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 高密度、高感度、かつ安定性に優れ、しかも簡単な構成を有する光-光変調素子用の材料を提供する。この光変調素子材料を使用して、書き込まれたメモリーは非破壊的に読み出すことができる。【構成】 光変調素子材料は、側鎖に共有結合したフォトクロミック成分を有する側鎖型高分子液晶および低分子液晶の少なくとも二成分から構成されるか、または側鎖型高分子液晶、フォトクロミック化合物および低分子液晶の少なくとも三成分から構成される。側鎖型高分子液晶は、一軸方向に配向処理されているのが好ましい。光変調素子材料中の低分子液晶の含有量は1〜80重量%の範囲である。また、光変調素子材料におけるフォトクロミック化合物またはフォトクロミック成分の含有量は、0.1〜20重量%の範囲である。

請求項（抜粋）：

側鎖に共有結合したフォトクロミック成分を有する側鎖型高分子液晶および低分子液晶の少なくとも二成分からなり、高分子液晶組成物が一軸方向に配向処理されたことを特徴とする光変調素子材料。

IPC (3件)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/1337 ,  G03C 1/73 503