特許
J-GLOBAL ID：200903004830349988
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000487
公開番号（公開出願番号）：特開平11-193471
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 上部電極の周囲に付着力の弱い反応副生成物が付着することによるパーティクルの発生を抑制することができるようにする。【解決手段】 プラズマCVD装置は、真空容器200と、上部電極210と、下部電極220とを有する。上部電極210のガス分散板213の端部は、下に向かった椀状に形成されている。そして、この端部は、下部電極220の基板載置面221に載置された被処理基板Wの上面より下に延在されている。
請求項（抜粋）：
水平にかつ対向するように配設された上部電極と下部電極との間に電力を印加することにより成膜用の反応ガスをプラズマ化し、このプラズマによって前記反応ガスを励起することにより、前記下部電極の上面に載置された被処理基板の表面に所定の薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記上部電極の端部が前記下部電極の上面に載置された前記被処理基板の上面より下方に延在されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
