特許

J-GLOBAL ID：200903004831401169

素子分離領域の形成方法

発明者： 堀尾 正弘 ,  鈴木 克典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259269
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 ストレスが少なく素子分離特性に優れた素子分離領域を加工精度良く形成する。【構成】 レジスト3(開口3a)をマスクとしてSi3N4膜2をドライエッチングして、SiO2膜1を露出させる。エッチングガスとしてCHF3,CF4およびArを用い、CHF3/CF4流量比を8に設定した条件でドライエッチングを行って、SiO2膜1を除去して基板表面4aを露出させる。上記条件を維持して、SiO2膜1をオーバーエッチングすることにより、側壁8aにテーパーを有する第1の溝8を形成するとともに、開口3a内にフロロカーボン系重合膜7を付着させて第1の溝8の側壁8aを覆う。異方性ドライエッチングを行って、第1の溝8の底部に、側壁8aに連なる第2の溝9を形成する。熱酸化を行って、第1の溝8a,第2の溝9内に素子分離用の酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面にSiO2膜,SiN膜を順に設けた後、上記SiN膜表面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィを行って上記レジストに開口を形成する工程と、上記レジストをマスクとしてドライエッチングを行って、上記SiN膜を除去して、上記開口内に上記SiO2膜を露出させる工程と、エッチングガスとしてCHF3,CF4およびArを用い、CHF3/CF4流量比を8に設定した条件でドライエッチングを行って、上記SiO2膜を除去して上記開口内に基板表面を露出させる工程と、上記条件を維持して、上記SiO2膜を除去するのに要した時間よりも長時間ドライエッチングを続けることにより、側壁にテーパーを有する第1の溝を上記露出した基板表面に形成するとともに、上記開口内の各膜の端部にフロロカーボン系重合膜を付着させて上記第1の溝の側壁を覆う工程と、上記フロロカーボン系重合膜をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、上記第1の溝の底部に、上記側壁に連なる第2の溝を形成する工程と、上記レジストおよびフロロカーボン系重合膜を除去した後、熱酸化を行って、上記第1の溝,第2の溝内に素子分離用の酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする素子分離領域の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/302