特許
J-GLOBAL ID：200903004833821025

超電導素子

発明者：
長野 利彦

長野 利彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

, 
財団法人国際超電導産業技術研究センター

財団法人国際超電導産業技術研究センター について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-042997
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253645
出願日： 2003年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】配線部分のインダクタンスを低減するとともに接合間におけるIcの分散を抑制して、良好な特性を示す超電導素子を提供する。【解決手段】基板と、基板上に積層されてジョセフソン接合を形成する、酸化物超電導体の下部電極層、絶縁性のバリア層、および酸化物超電導体の上部電極層とを含み、前記上部電極層が、下記式(A)で表され、組成が連続的に変化している初期成長層と、下記式(B)で表される組成を有する主成長層とYbBa2CuwOy ...(A)YbBa2Cu3Oy’ ...(B)(ここで、3.0 請求項１：
基板と、基板上に積層されてジョセフソン接合を形成する、酸化物超電導体の下部電極層、絶縁性のバリア層、および酸化物超電導体の上部電極層とを含み、前記上部電極層が、下記式(A)で表され、組成が連続的に変化している初期成長層と、下記式(B)で表される組成を有する主成長層と YbBa2CuwOy ...(A) YbBa2Cu3Oy’ ...(B) (ここで、3.0 IPC (2件)：
H01L39/22 ,  H01L39/24
FI (2件)：
H01L39/22 A ,  H01L39/24 J
Fターム (16件)：
4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA25 ,  4M113AA37 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD39 ,  4M113AD42 ,  4M113BA04 ,  4M113BA07 ,  4M113BA11 ,  4M113BA15 ,  4M113BB07 ,  4M113BC07 ,  4M113BC22 ,  4M113CA34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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