特許

J-GLOBAL ID：200903004834796768

基板物質による成長速度の違いを利用した分子性物質高配向集合体の微細構造パターンの作成法

発明者： 島田 敏宏 ,  小間 篤
出願人/特許権者： 東京大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067476
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264445
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 光に対する機能性を有する有機分子性物質をエピタキシャル成長における成長速度の基板物質の依存性を利用して有機分子性物質の高配向集合体の微細構造パターンの作成法を応用し、レーザー共振器等に利用できる有機分子性物質の微細構造パターンを作成する。【構成】 イオン性物質の単結晶基板物質上にリソグラフィーとエピタキシャル成長によって、イオン結合性の異なる別のイオン性物質を単結晶させた微細パターンを作る第1工程と、被覆を目的とする分子性物質が、工程で作製したパターンにおいて、基板物質、または成長させたイオン性物質のうち物質の組み合わせによって定まるどちらか一方のみの上に成長し、他方にはほとんど成長しない最適温度に基板温度を保ちながら、有機分子性物質のエピタキシャル成長を行いイオン性物質の単結晶基板上に有機分子性物質の高配向集合体の微細構造パターンを作成する第2工程との結合より成る基板物質による成長速度の違いを利用した分子性物質高配向集合体の微細構造パターンの作成法。

請求項（抜粋）：

イオン性物質の単結晶基板物質上にリソグラフィーとエピタキシャル成長によって、イオン結合性の異なる別のイオン性物質を単結晶させた微細パターンを作る第1工程と、被覆を目的とする分子性物質が、前記工程で作製したパターンにおいて、基板物質、または成長させたイオン性物質のうち物質の組み合わせによって定まるどちらか一方のみの上に成長し、他方にはほとんど成長しない最適温度に基板温度を保ちながら、目的の有機分子性物質のエピタキシャル成長を行いイオン性物質の単結晶基板上に有機分子性物質の高配向集合体の微細構造パターンを作成する第2工程との結合より成ることを特徴とする基板物質による成長速度の違いを利用した分子性物質高配向集合体の微細構造パターンの作成法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/35 503 ,  G02F 1/35 504 ,  H01L 21/363

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  G02F 1/35 503 ,  G02F 1/35 504 ,  H01L 21/363 ,  G02B 6/12 M