特許

J-GLOBAL ID：200903004841749643

ダイヤモンド接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： カルヤンクマール・ダス
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-263938
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209015
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長を必要とせず、即ち複雑な製造工程を有することなく、高信頼性で製造することができるダイヤモンド接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 ダイヤモンド層11と、ダイヤモンド層中に相互間に間隔をおいて設けた第1導電型、好ましくはp型のソース領域12及びドレイン領域13と、このソース領域12とドレイン領域13との間の第2導電型、好ましくはn型のゲート領域14を有する接合型電界効果トランジスタである。ゲート領域14は損傷誘起n型の導電型であってもよい。このように形成したJFETは、ゲート接合面の順方向バイアス特性は劣るが、その動作時には、JFETのゲート接合面には逆バイアスが印加されるので、優れたデバイス特性が得られる。このJFETはイオン注入のみによって製造することができる。埋込チャンネル領域15、ソース領域12及びドレイン領域13の形成にはボロン注入を使用し、ゲート領域14の形成には損傷を誘起するイオンを注入することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のダイヤモンド層と、前記ダイヤモンド層中に相互間に間隔をおいて設けた前記第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間の前記ダイヤモンド層中に設けた第2導電型のゲート領域と、前記ソース領域、ドレイン領域及びゲート領域と夫々電気的に接続されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを有し、前記ゲート領域と前記ダイヤモンド層とは、前記ソース領域とドレイン領域との間で接合面を形成していることを特徴とするダイヤモンド接合型電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 A