特許

J-GLOBAL ID：200903004842845492

導波路型半導体光素子

発明者： 牧田 紀久夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146997
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340497
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 導波路型半導体受光素子に代表される導波路型半導体光素子において、入射端面での表面再結合による量子効率劣化或いは信頼性劣化を抑圧し、高効率・高信頼特性を実現する。【解決手段】 クラッド層12、光吸収・導波層13、クラッド層14を積層した積層構造を有する導波路型半導体受光素子或いは導波路型半導体変調素子において、光導波路としての光吸収・導波層13の入射端面近傍域を選択的に原子層オーダで無秩序化した非自然超格子域18とし、この領域18でバンドギャップエネルギーの短波長化を行い、信号光19の入射端面での表面再結合を抑圧する。入射端面での表面再結合による効率劣化及び信頼性劣化を抑制し、高信頼な導波路型半導体光素子を実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に化合物半導体を積層した積層構造の光導波路を有する導波路型半導体光素子において、前記光導波路は原子秩序度を有する構造(自然超格子構造)として構成されるとともに、信号光が入射される入射端面側の領域が原子秩序度を有さない構造(非自然超格子構造)として構成されていることを特徴とする導波路型半導体光素子。