光波測距儀

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三浦邦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026920
公開番号（公開出願番号）：特開2001-221632
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】広範囲の温度環境下でAPDのバイアス電圧を長時間安定に供給することができる光波測距儀を提供する。【解決手段】受光手段としてアバランシェ・フォトダイオード22(以下、「APD」という)を用いた光波測距儀であって、前記APDが基準光量を受光したときに出力する出力電圧が予め設定してある目標電圧と等しくなるように前記APDのバイアス電圧を決定する制御信号を設定するとともに、メモリ手段にメモリする制御手段と、前記メモリ手段が出力する制御信号に基づいて前記APDにバイアス電圧を供給するAPDバイアス回路8と、を備え前記制御手段は、基準光量を受光した前記受光手段の出力電圧をA/D変換6し、該A/D変換した出力電圧と前記目標電圧とを比較して、該差電圧を前記制御信号として設定するとともに前記メモリ手段にメモリし、該メモリ手段が出力する制御信号をD/A変換7して前記APDバイアス回路8に出力する。

請求項（抜粋）：

目標物に向かって強度変調した測距光を射出する発光手段と、該発光手段から射出され、目標物で反射した測距光を受光する受光手段と、前記発光手段が射出した測距光と前記受光手段が受光した測距光の強度変調位相差を計測する位相差計測手段とを備え、前記受光手段としてアバランシェ・フォトダイオード(以下、「APD」という)を用いた光波測距儀であって、前記APDが基準光量を受光したときに出力する出力電圧が予め設定してある目標電圧と等しくなるように前記APDのバイアス電圧を決定する制御信号を設定するとともに、メモリ手段にメモリする制御手段と、前記メモリ手段が出力する制御信号に基づいて前記APDにバイアス電圧を供給するAPDバイアス回路とを備え、前記制御手段は、基準光量を受光した前記受光手段の出力電圧をA/D変換し、該A/D変換した出力電圧と前記目標電圧とを比較して、該差電圧を前記制御信号として設定するとともに前記メモリ手段にメモリし、該メモリ手段が出力する制御信号をD/A変換して前記APDバイアス回路に出力すること、を特徴とする光波測距儀。

IPC (4件)：

G01C 3/06 , G01B 11/00 , H01L 31/10 , G01S 17/36

FI (4件)：

G01C 3/06 A , G01B 11/00 B , G01S 17/36 , H01L 31/10 G

Fターム (52件)：

2F065AA06 , 2F065DD00 , 2F065EE09 , 2F065FF13 , 2F065GG04 , 2F065JJ01 , 2F065JJ18 , 2F065LL24 , 2F065LL30 , 2F065NN13 , 2F065QQ03 , 2F065QQ23 , 2F065QQ25 , 2F065RR10 , 2F065UU02 , 2F112AA10 , 2F112AD10 , 2F112BA18 , 2F112CA06 , 2F112DA19 , 2F112DA28 , 2F112EA09 , 2F112FA03 , 2F112FA05 , 2F112GA10 , 5F049MA07 , 5F049NA07 , 5F049NA20 , 5F049NB07 , 5F049UA11 , 5F049UA20 , 5F049WA01 , 5J084AA05 , 5J084AD02 , 5J084BA03 , 5J084BA36 , 5J084BA43 , 5J084BA52 , 5J084BA57 , 5J084BB20 , 5J084BB35 , 5J084CA07 , 5J084CA15 , 5J084CA24 , 5J084CA31 , 5J084CA49 , 5J084CA56 , 5J084CA70 , 5J084CA80 , 5J084DA01 , 5J084EA11 , 5J084EA33

引用特許：

審査官引用 (4件)

光波距離計
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-045370 出願人：株式会社ソキア
受光器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-188304 出願人：株式会社ニコン
光受信回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-007283 出願人：三菱電機株式会社

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