特許

J-GLOBAL ID：200903004847319560

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

発明者： 榎元 香津子 ,  佐藤 辰雄 ,  岡島 徳明
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255276
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090049
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、(A)連鎖結合のメチレン結合の水素原子をグリシジルオキシアリール基で置換したノボラック型エポキシ樹脂、(B)テルペン骨格を持ったフェノール樹脂、(C)BAPP型ポリイミド樹脂、および(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%含有してなるエポキシ樹脂組成物である。またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップが封止されてなる半導体封止装置である。【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することができる。

請求項（抜粋）：

(A)次の一般式で示されるエポキシ樹脂、【化1】(但し、式中R1 はCj H2j+1基を、R2 はCk H2k+1基を、R3 はCl H2l+1基を、R4 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 、l 、m 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(B)次の一般式で示されるテルペンフェノール樹脂、【化2】(但し、式中R5 はCj H2j+1基を、R6 はCk H2k+1基をそれぞれ表し、各基におけるj 、k 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(C)次の一般式で示されるポリイミド樹脂および【化3】(但し、式中R7 はCl H2l+1基を、R8 はCm H2m+1基をそれぞれ表し、各基におけるl 、m は 0又は 1以上の整数を表す)(D)無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (6件)：

C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/40 NKG ,  C08G 59/62 NJR ,  C08L 63/00 NJS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31